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FET，MOSFET - 单个
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STB18N60DM2

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
295 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
20nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
800pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
90W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
优势价格，STB18N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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