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FET,MOSFET - 单个

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STFH10N60M6

  • STMicroelectronics
  • ROHS
  • N-CHANNEL 600 V, 520 MOHM TYP.,
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
MDmesh™ M6
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
600 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
8.8nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
338pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
20W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
商品其它信息
优势价格,STFH10N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
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暂无价格
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参考库存:16654
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
暂无价格
参考库存:60810
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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