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FET,MOSFET - 单个
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BSC084P03NS3EGATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
OptiMOS™
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
14.9A(Ta),78.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
8.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
57.7nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4240pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),69W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5
封装/外壳
8-PowerTDFN
商品其它信息
优势价格,BSC084P03NS3EGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 55V 120A TO-247
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参考库存:58975
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MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
暂无价格
参考库存:58983
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