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FET，MOSFET - 阵列
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CSD86311W1723

  • Texas Instruments
  • ROHS
  • MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.5A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
39 毫欧 @ 2A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
585pF @ 12.5V
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
12-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装
12-DSBGA
商品其它信息
优势价格，CSD86311W1723的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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