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FET，MOSFET - 阵列
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DMC25D1UVT-7

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
25V，12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
500mA，3.9A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
0.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
27.6pF @ 10V
功率 - 最大值
1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
TSOT-26
商品其它信息
优势价格，DMC25D1UVT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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