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FET，MOSFET - 阵列
SI4214DY-T1-GE3参考图片

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SI4214DY-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • ROHS
  • MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.5A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
23.5 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
785pF @ 15V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
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