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FET，MOSFET - 阵列
SIZF300DT-T1-GE3参考图片

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SIZF300DT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • ROHS
  • MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
23A（Ta），75A（Tc），34A（Ta），141A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.84 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
22nC @ 10V，62nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 15V，3150pF @ 15V
功率 - 最大值
3.8W（Ta），48W（Tc），4.3W（Ta），74W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®（6x5）
商品其它信息
优势价格，SIZF300DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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