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FET，MOSFET - 阵列
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CSD87355Q5DT

  • Texas Instruments
  • ROHS
  • MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平栅极，5V 驱动
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
45A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
13.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1860pF @ 15V
功率 - 最大值
2.8W
工作温度
-55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
8-LSON（5x6）
商品其它信息
优势价格，CSD87355Q5DT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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