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FET,MOSFET - 阵列
FDC3601N参考图片

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FDC3601N

  • ON Semiconductor
  • ROHS
  • MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
PowerTrench®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
500 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
153pF @ 50V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
SuperSOT™-6
商品其它信息
优势价格,FDC3601N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
暂无价格
参考库存:33646
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363
暂无价格
参考库存:63650
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
暂无价格
参考库存:183660
FET,MOSFET - 阵列
DUAL N-CHANNEL MOSFETSOT-363
暂无价格
参考库存:123670
FET,MOSFET - 阵列
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
暂无价格
参考库存:168676
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    品类不断扩充

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