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FET，MOSFET - 阵列
VMM650-01F参考图片

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VMM650-01F

  • IXYS
  • ROHS
  • MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
HiPerFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
680A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
2.2 毫欧 @ 500A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 30mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
1440nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
Y3-Li
供应商器件封装
Y3-Li
商品其它信息
优势价格，VMM650-01F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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