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FET，MOSFET - 阵列
STS8C5H30L参考图片

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STS8C5H30L

  • STMicroelectronics
  • ROHS
  • MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
STripFET™ III
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A，5.4A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
22 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
857pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
优势价格，STS8C5H30L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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