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UGBT、MOSFET - 单
IXGQ35N120BD1参考图片

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IXGQ35N120BD1

  • IXYS
  • ROHS
  • IGBT 1200V 75A 400W TO3P
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
75A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.3V @ 15V，35A
功率 - 最大值
400W
开关能量
900µJ（开），3.8mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
140nC
25°C 时 Td（开/关）值
40ns/270ns
测试条件
960V，35A，3 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
40ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:37115

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