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UGBT、MOSFET - 单

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AFGHL75T65SQDT

  • ON Semiconductor
  • ROHS
  • 650V/75A FS4 IGBT TO247 L
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
300A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值
375W
开关能量
2.12mJ（开），1.14mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
136nC
25°C 时 Td（开/关）值
24ns/106ns
测试条件
400V，75A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
75ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商器件封装
TO-247-3
商品其它信息
优势价格，AFGHL75T65SQDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IXEH25N120D1
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IRG4RC20FTRL
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UGBT、MOSFET - 单
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暂无价格
参考库存:43091

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