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UGBT、MOSFET - 单
NGTB40N60L2WG参考图片

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NGTB40N60L2WG

  • ON Semiconductor
  • ROHS
  • IGBT 600V 80A 417W TO247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
160A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.61V @ 15V,40A
功率 - 最大值
417W
开关能量
1.17mJ(开),280µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
228nC
25°C 时 Td(开/关)值
98ns/213ns
测试条件
400V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
73ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
商品其它信息
优势价格,NGTB40N60L2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 3000V 80A 400W TO268
暂无价格
参考库存:40123
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF
暂无价格
参考库存:40131
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 16A 44W TO220FP
暂无价格
参考库存:40139
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
暂无价格
参考库存:40147
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
暂无价格
参考库存:40155
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