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UGBT、MOSFET - 单
RJH60D7DPK-00#T0参考图片

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RJH60D7DPK-00#T0

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
90A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
90A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.2V @ 15V,50A
功率 - 最大值
300W
开关能量
1.1mJ(开),600µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
130nC
25°C 时 Td(开/关)值
60ns/190ns
测试条件
300V,50A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
100ns
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
优势价格,RJH60D7DPK-00#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 650V 290A 940W PLUS247
暂无价格
参考库存:40741
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 30A 150W TO268
暂无价格
参考库存:40749
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 13A 50W DPAK
暂无价格
参考库存:40757
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
暂无价格
参考库存:40765
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1600V 75A 240W ISOPLUS247
暂无价格
参考库存:40773
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