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UGBT、MOSFET - 单
FGL35N120FTDTU参考图片

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FGL35N120FTDTU

  • ON Semiconductor
  • ROHS
  • IGBT 1200V 70A 368W TO264
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
70A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
105A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.2V @ 15V，35A
功率 - 最大值
368W
开关能量
2.5mJ（开）， 1.7mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
210nC
25°C 时 Td（开/关）值
34ns/172ns
测试条件
600V，35A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
337ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
TO-264-3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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