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UGBT、MOSFET - 单
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APT75GN60B2DQ3G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
155A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
225A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.85V @ 15V，75A
功率 - 最大值
536W
开关能量
2500µJ（开），2140µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
485nC
25°C 时 Td（开/关）值
47ns/385ns
测试条件
400V，75A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
400V，75A，1 欧姆，15V
工作温度
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
-
商品其它信息
优势价格，APT75GN60B2DQ3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:45231

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