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UGBT、MOSFET - 单

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IXGM25N100A

  • IXYS
  • ROHS
  • POWER MOSFET TO-3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
100A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
4V @ 15V，25A
功率 - 最大值
200W
开关能量
5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
180nC
25°C 时 Td（开/关）值
100ns/500ns
测试条件
800V，25A，33 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
200ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-204AE
供应商器件封装
TO-204AE
商品其它信息
优势价格，IXGM25N100A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
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