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UGBT、MOSFET - 单
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RJH1CV5DPK-00#T0

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
50A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.6V @ 15V，25A
功率 - 最大值
245W
开关能量
1.9mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
72nC
25°C 时 Td（开/关）值
42ns/105ns
测试条件
600V，25A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
170ns
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
优势价格，RJH1CV5DPK-00#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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