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UGBT、MOSFET - 单
IXGA8N100参考图片

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IXGA8N100

  • IXYS
  • ROHS
  • IGBT 1000V 16A 54W TO263
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
1000V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
16A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
32A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.7V @ 15V,8A
功率 - 最大值
54W
开关能量
2.3mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
26.5nC
25°C 时 Td(开/关)值
15ns/600ns
测试条件
800V,8A,120 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
800V,8A,120 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263(IXGA)
商品其它信息
优势价格,IXGA8N100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 75A 300W TO220AB
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